Ко Александр Анатольевич : другие произведения.

У истоков криоэлектроники С В Ч в Украине и Н И И "Сатурн"

Самиздат: [Регистрация] [Найти] [Рейтинги] [Обсуждения] [Новинки] [Обзоры] [Помощь|Техвопросы]
Ссылки:
 Ваша оценка:
  • Аннотация:
    В своем повествовании автор подробно описывает истоки становления криоэлектроники СВЧ в Украине 20-го века. Являясь непосредственным участником описываемых событий, автор рассказывает о событиях и людях, принимавших участие в становлении криоэлектроники СВЧ в Украине. Публикация посвящается светлой памяти Анатолия Петровича - активного по жизни и творческого в научной деятельности человека, ушедшего, к сожалению, 23 августа 2014 года на 80-м году жизни из нашего мира...
  
  В качестве предисловия к мемуарному повествованию У ИСТОКОВ КРИОЭЛЕКТРОНИКИ СВЧ В УКРАИНЕ И НИИ "САТУРН" - авторство:
  Крутько Анатолий Петрович (набор текста и техническая редакция - А.Ко).
  
  Публикация посвящается светлой памяти Анатолия Петровича - активного по жизни и творческого в научной деятельности человека, ушедшего, к сожалению, 23 августа 2014 года на 80-м году жизни из нашего мира...
  
  В своем повествовании автор подробно описывает истоки становления криоэлектроники СВЧ в Украине 20-го века. Являясь непосредственным участником описываемых событий, автор рассказывает о событиях и людях, принимавших участие в становлении криоэлектроники СВЧ в Украине.
  
  
  
  
  
  Крутько А.П.
  
  У ИСТОКОВ КРИОЭЛЕКТРОНИКИ СВЧ
  В УКРАИНЕ И НИИ "САТУРН"
  
  
  
  "...выполнить свой долг может только тот,
  кто сознательно к этому стремится ..."
  
  Дж. Коллингвуд
  
  
  Конец пятидесятых годов двадцатого века... Развивается ракетно-космическая техника, необходимо обеспечение дальней связи сверхмалошумящими радиоприемными системами СВЧ.
  Возможности традиционной радиотехники технологически и схемотехнически исчерпаны: остается единственно доступный путь снижения шумов - физическое охлаждение устройств СВЧ до очень низких, криогенных температур, в том числе таких, при которых проявляется сверхпроводимость.
  На горизонтах науки и техники возникает призрак радиоэлектроники низких температур - криоэлектроника.
  Этот призрачный образ появляется за рубежом и на Украине, в Харькове, где на базе одного из отделов Физико-технического института (ныне ФТИ НАНУ), старейшего на Украине научного центра физики, организуется институт радиофизики и электроники (ИРЭ). В его структуре, по инициативе старшего научного сотрудника отдела "Н" ФТИ д.ф.-м.н. Галкина А.А. (будущего академика НАНУ), создается лаборатория радиоспектроскопии (РС), новой области физики, основы квантовой радиофизики и электроники. Этой лаборатории, как наиболее близкой к низкотемпературной технике эксперимента, в 1956 г. поручается выполнить в интересах НИИ военно-морских сил исследования по созданию охлаждаемого до криогенного уровня температур смесителя 8-мм диапазона длин волн, с целью оснащения им всепогодного корабельного радиосекстанта СВЧ.
  Основной состав лаборатории - молодые физики с университетским образованием и один аспирант с радиотехническим, но минимальным представлением о технике СВЧ того времени. Вот, ему-то (Крутько А.П.) и поручает А.А. Галкин, с выходом на тему диссертации, выполнение исследований шумовых свойств кристаллических диодов (так они назывались с легкой руки разработчиков радаров из Массачусетского технологического института (МТИ США) в режиме детектирования и преобразования частоты сигнала.
  Необходимо было освоиться со спецификой работы со сжиженными газами: азотом - 78К; водородом - 20К; гелием - 4,2К. Они были источником холода в стеклянных сосудах Дьюара, куда помещалось охлаждаемое устройство.
  Для измерения параметров диода СВЧ в Москве была заказана аппаратура в отделе нестандартного оборудования предприятия п/я 2603 (ныне НИИ "Сапфир"), которое разрабатывало серийные диоды СВЧ и аттестовало их по ТУ, составленным на основании методик для испытания смесителей, опубликованных в отчетах МТИ (США) и переведенных на русский язык как "Кристаллические детекторы" ч.I и II. После получения этой аппаратура и проведения первых ее испытаний для калибровки уровня шумов, оказалось, что методика измерения и коэффициент шума усилителя промежуточной частоты (УПЧ) на 60 МГц не позволяют из общего шума на выходе усилителя выделить собственно шумы диодов. Потребовалась радикальная переработка приборов, уточнение методики калибровки УПЧ, решение вопросов согласования по шумам выхода смесителя, находящегося в сосуде Дьюара, на глубине около метра, с входом УПЧ, чтобы получить достоверную информацию о шумах диодов.
  Измерительный тракт СВЧ проектировался опытными специалистами лаборатории измерительной техники ИРЭ (Е.М. Кулешов, М.С. Яновский). Но, как показали уже первые испытания, несмотря на принципиальную правильность принятых решений, конструктивная реализация смесительной камеры не допускала устойчивой настройки контакта вольфрамовой иглы с полупроводниковым кристаллом диода (такой вид имели в то время серийные диоды СВЧ) при дистанционной (более 1 м) регулировке. Потребовалось разработать новую конструкцию, которая была изготовлена с высоким качеством, благодаря таланту механика высочайшей квалификации из отдела "К" ФТИ. В медную капсулу диаметром 40 мм удалось поместить две смесительных камеры с диодами, кристаллы которых могли поворачиваться, а их прижим к игле плавно регулировался общей тягой с микрометрическим винтом. Выбором точки контакта можно было непосредственно под действием на диод мощности СВЧ гетеродина (клистрона) найти условия, необходимые для получения минимальных потерь преобразования и шумов смесителя. Все это позволяло впервые в криоэлектронике провести измерения, которые показали, что при охлаждении таких диодных контактов возможно не только обеспечить эффективное детектирование сигналов миллиметрового диапазона длин волн (ММВ), но и значительно снизить при охлаждении их уровень шумов на промежуточной частоте 60 МГц в режиме преобразования частоты сигнала.
  Подобные измерения параметров смесительных диодов, но в сантиметровом диапазоне, выполнялись, как стало известно из публикаций в 1958 г., за рубежом, а также несколько позже в одном из подмосковных НИИ Министерства обороны (МО), научным руководителем которых был В.Н. Алфеев.
  В 1958 году НИР принимается представителем заказчика. Результаты работы были изложены в отчете по НИР "Холодный катод" и частично опубликованы в 1959 году в трудах ИРЭ, Љ10.
  В эти же годы аспирант лаборатории непрерывного генерирования ИРЭ С.А.Песковацкий оставляет тему диссертационной работы по клистронам и переключается на исследования по созданию квантовых парамагнитных усилителей - мазеров, которые до настоящего времени остаются самыми малошумящими устройствами ММВ благодаря их квантовой радиофизической природе.
  Последовательно работая многие годы в этой области, Песковацкий С.А. создал в Украине школу специалистов по криоэлектронным приборам ММВ, из которой вышли чл.-корр. НАНУ Шульга В. М., д.ф.-м.н. Еру И.И. и другие ученые.
  Положительные результаты охлаждения смесительных диодов промышленного типа с прижимным контактом, требующим подстройки после термоцикла охлаждения, не могли быть рекомендованы для внедрения. Тем не менее они показывали на перспективность применения криогенных температур для снижения шумов диодов, структуру и технологию которых необходимо было усовершенствовать, а полупроводниковый кристалл выполнить из более подходящего для низких температур материала, чем кремний (технология арсенида галлия еще не была освоена).
  Прежде всего следовало разобраться с процессами, происходящими в диодных структурах при охлаждении. Для этого устанавливаются научные контакты не только с технологами, изготовителями диодов, но и с учеными, занимающимися изучением свойств полупроводников в сильных полях из институтов Москвы, Вильнюса, Киева, Баку, т.к. эти явления ("горячие" электроны) во многом определяют шумовые свойства на границе полупроводника с металлом.
  Необходимо было иметь не только более совершенную аппаратуру для измерения шумов, но и технологическую базу для получения образцов. Уже в эти годы за рубежом интенсивно развивались работы по вакуумным методам формирования подобных структур. Начата была подготовка к таким работам и в лаборатории РС, однако вскоре А.А. Галкин вместе с другими сотрудниками ФТИ (будущими академиками Веркиным Б.И. и Дмитренко И.М.) активно включился в организацию Физико-технического института низких температур (ФТИНТ). Без его "прикрытия" дирекция ИРЭ не считала возможным вторгаться в полупроводниковую тематику, в которой на Украине, по уставам академии, определял приоритеты Институт полупроводников, хотя и далекий от проблем полупроводниковой радиоэлектроники СВЧ. Несмотря на интенсивное развитие этих работ во всем мире, Академия наук Украины оказалась в стороне не только от диодного, но и транзисторного направления.
  Все более широкое освоение в шестидесятые годы космической и спутниковой связи снова выдвинуло задачу снижения шумов в приемниках СВЧ сигналов, но уже на новых технических и технологических уровнях. Призрак криогенной радиотехники появляется в отделе, которым руководит в ЦНИИС ( Подмосковье ) д.т.н. Алфеев В.Н.
  Заручившись поддержкой лауреата Нобелевской премии в области квантовой физики академика Прохорова А.М., с учетом заинтересованности в новой технике ряда ведомств, в том числе оборонных, ему удается выйти на уровень руководства Министерства электронной промышленности (МЭП) с предложением о создании в его структуре целевого института криогенной электроники (НИИ КЭ) с дислокацией в Украине.
  Несмотря на правительственные ограничения строительства в Киеве, как и в Москве, новых промышленных предприятий, все же было разрешено разместить НИИ КЭ в Киеве, на одной из малоосвоенных окраин, на бывших монастырских, а затем совхозных землях Никольской Борщаговки, в восьми километрах от железнодорожного вокзала и площади Победы.
  Конечно, энтузиазма и энергии В.Н. Алфеева было бы недостаточно для создания нового института, если бы не информация о разработках и оснащении наземных спутниковых станций военного назначения за рубежом малошумящими приемными системами с микрокриогенными установками замкнутого цикла (МКС).
  У сотрудников отдела В.Н.Алфеева в ЦНИИСе уже был к тому времени опыт испытания устройств СВЧ при температуре жидкого азота. С этим научно-техническим багажом и несколькими сотрудниками ЦНИИС МО (А.В. Иванцов, Ю.Н. Ковальков и др.) В.Н. Алфеев в качестве директора НИИ КЭ, согласно совместному приказу по МЭП и МО, прибывают в Киев для дальнейшего прохождения службы.
  Особенно сложным был вопрос комплектования штатов НИИ КЭ сотрудниками, имеющими опыт работы при криогенных температурах, тем более радиоэлектронного направления. В Киеве было несколько академических институтов, в которых были криогенные станции, но специализация их сотрудников была далекой от радиоэлектроники.
  Лимиты на прописку в Киеве иногородних контролировались партийными органами и были очень ограниченными, а виды на жилплощадь просматривались в перспективе (за несколькими исключениями). Вместе с тем, время уходило, тематические планы НИИ, по которым шло финансирование, необходимо было, в соответствии с установленным порядком, выполнять. Сроки окончания НИР угрожающе приближались! План в СССР - закон!
  Исчерпав доступные кадровые ресурсы, директор НИИ КЭ отправляется в Мекку радиотехники и криогенной физики в Украине - Харьков, где находятся крупнейшие научные центры и вузы (ФТИ, ФТИНТ, ИРЭ, ХИРЭ, ХГУ). Он выступает во ФТИНТе на конференции молодых физиков с докладом о перспективах криоэлектроники. По информации д.т.н. Г.А. Михайлова, зав. отделом новых элементов из института кибернетики, с которым В.Н. Алфеев был знаком по Киеву, он узнает о работах в отделе "Н" ФТИ, руководимом академиком Б.Г. Лазаревым. В этом отделе группа Я.С. Кана (молодые инженеры В.А. Рахубовский и Е.Г.Максимова) ведет исследования по созданию сверхпроводниковых устройств для вычислительной техники на проволочных криотронах. Полученные там в тесном сотрудничестве с Михайловым Г.И схемотехнические решения воодушевляют В.Н. Алфеева, он готов их использовать в лаборатории криотроники, которая под руководством приехавшего из Ленинграда в Киев Б.Н. Формозова, ищет пути создания подобных схем с использованием пленочных технологий.
  От Е.Г.Максимовой, командированной в Киев, В.Н. Алфеев узнает о работах А.П. Крутько в ИРЭ по охлаждаемым смесителям СВЧ; следует приглашение его и Максимовой Е.Г. на работу в Киев. Перспективы условий научной работы в НИИ КЭ увлекают Е.Г. Максимову и А.П. Крутько. Более того, вскоре было получено разрешение им на прописку в Киеве, но квартиры нет! В.Н.Алфеев рисует научные планы развития криоэлектроники на основе новых технологий, которыми не располагают академические институты, убеждая А.П.Крутько переехать в Киев, но вопрос с квартирой для этой семьи пока не может быть решен, - надо подождать!
  Энергия и настойчивость директора приносят плоды и в этом трудном деле. В 1970 г. ему удается получить в долг от местной власти еще несколько квартир в доме на новом жилмассиве, Никольской Борщаговке, примерно в километре бездорожья от стройплощадки будущего комплекса НИИ.
  Так по крупицам собирались специалисты, имеющие опыт работы в криоэлектронике и криогенной технике на первых этапах формирования штатов НИИ КЭ. Как известно, кадры решают всё!
  Тем временем создавалась производственная база НИИ. Нашлись свободные площади на ул. Мельникова (около Лукьяновского рынка), где обосновалась администрация, некоторые подразделения НИИ КЭ, и строилась станция по ожижению гелия. Конструкторский отдел размещался в бывшей резиденции ЦК КПУ на Сырце. Сектор В.И. Дворникова, куда был определен А.П. Крутько, располагался в техникуме электронных приборов, на улице П.Лумумбы. Часто сотрудники включались в выполнение НИР на этапах, когда подступали сроки завершения работ.
  Приглашенному из НИИ Микроприборов Н.В. Ярину с группой сотрудников ( В.Р. Добровинский, Э.Г. Городецкий и др.) было поручено закончить НИР "Элегия", в которой ставилась задача создания приемного модуля на гибридно-интегральных схемах СВЧ, когда в НИИ технологические процессы только осваивались. Пришлось перевести НИР в разряд аванпроекта, что с пониманием было воспринято в главном научно-техническом управлении (ГНТУ) МЭП; работа была сдана Госкомиссии с предъявлением отдельных устройств модуля. В рамках этой темы в секторе В.И. Дворникова были исследованы при температуре жидкого азота первые образцы низкочастотных полевых транзисторов, выпускавшиеся в стране с использованием кристаллов кремния (арсенид галлия был еще в далекой перспективе).
  На основе научного задела, привезенного из ЦНИИСа, А.В. Иванцов и Ковальков Ю.Н. организуют работы по созданию образца малошумящей приемной системы "Экран", содержащей параметрический диодный усилитель с охлаждением от МКС дроссельного типа до 80 К.
  ОКР "Экран" успешно сдается Госкомиссии, исполнители получают премии и награды, но достигнутый эффект не того уровня, чтобы оправдать авансы, выданные В.Н. Алфеевым при создании НИИ.
  Нужна масштабная программа - это понимает директор и предлагает на коллегии МЭП комплексный проект по разработке малошумящих приемных систем на основе широкополосных усилителей, охлаждаемых МКС до температуры 15К, не уступающих по параметрам образцам, которыми оснащены зарубежные наземные станции спутниковой связи. Покупка таких комплексов ограничена для СССР через третьи страны и обошлась бы в сотни тысяч долларов США.
  Министр Шокин А.И. поддерживает этот дорогостоящий проект и берет под личный контроль. К участию в ОКР "Экспонат" привлекаются Постановлением правительства ряд предприятий МЭП и других отраслей для изготовления комплектующих устройств системы. Выполнение ОКР в НИИ поручается наиболее опытным специалистам, которые в короткие сроки первого этапа аванпроекта, должны определить технические требования к блокам и узлам, сформировать задачу исполнителям, провести испытания и оформить результаты испытаний отдельных частей прототипа системы. Работа ведется в 2-3 смены. К назначенному сроку основные задачи аванпроекта выполнены. Документы своевременно поступили в МЭП, но с какими трудностями это было связано...
  Министр дал добро на финансирование работ по созданию опытного образца системы.
  В НИИ организуется комплексная лаборатория по ОКР "Экспонат", возглавить которую предлагается А.П. Крутько, но он отказывается, не считая себя опытным в подобных работах. Н.В. Ярин приглашает его принять участие в работах по охлаждаемому смесителю в рамках НИР "Эскадра".
  Вскоре комплексные работы по ОКР "Экспонат" поручаются опытным специалистам требуемого профиля: В.А. Максименко и В.И. Лебедю, приглашенными в НИИ с радиозавода. По мере развертывания работ по ОКР "Экспонат" все больше стало проявляться то обстоятельство, что прежнего опыта исполнителей для создания усилителей такого типа недостаточно при разработке заданного по ТЗ устройства, - выполнение плана под угрозой срыва. В.Н. Алфеев предпринимает титанические усилия, чтобы добиться разрешения на прописку по переводу из Москвы своего бывшего сотрудника Ю.В. Коренева, который к этому времени уже решал подобные задачи. И дела пошли! Снова кадры!..
  В ходе разработки были проблемы и проблемки. Когда, например, для выполнения требований ТЗ по усилителю необходимы были диоды с предельными параметрами, разработчик диодов из НИИ "Сапфир" отказывается поставлять их путем отбора из серийной партии. В.Н. Алфеев тут же организует целевую лабораторию по технологии подобных диодов под руководством Ф.Н. Масловского и добивается от МЭПа, чтобы НИИ "Сапфир" внедрил свою технологию в НИИ "Сатурн" ( с 1971 г. термин криоэлектроника был изъят из наименования НИИ в связи с ЧП, произошедшим в МЭПе ).
  Успешная разработка комплексной системы "Экспонат" и поставка ее на наземные станции приема сигналов из космоса знаменовали торжество криоэлектроники! Руководители и ведущие специалисты со временем были удостоены Госпремии.
  Развертываются разработки криоэлектронных приемных систем в более высокочастотном диапазоне СВЧ. В НИР "Эскадра" ставится задача создания полносоставного приемного модуля (усилитель, смеситель, УПЧ), что сложнее, чем разработка КЭПУС "Экспонат" не только по составу, но и из-за отсутствия диодов для охлаждаемых смесителей и транзисторов для УПЧ. Хотя уже поступает информация о разработках за рубежом полевых СВЧ транзисторов, которые могут функционировать при низких температурах, но в отечественной промышленности их ещё нет.
  Научный руководитель НИР "Эскадра" Н.В. Ярин со свойственной ему обстоятельностью ежедневно до позднего вечера проводит совещания с ответственными за узлы СВЧ (В.Р. Добровинский, Э.А Городецкий, А.П.Крутько, А.А.Максяшева), детально, как он говорил, "прожевывая" все технические вопросы.
  Если при разработке более низкочастотной системы "Экспонат" можно было опираться на известный зарубежный прототип, то систему "Эскадра" надо было создавать на основе оригинальных решений, перспективных для освоения еще более высокочастотных диапазонов дальней связи.
  Напряженная научно-исследовательская работа под контролем потенциального заказчика системы ( ОКБ МЭИ ) дает перспективные результаты по созданию криоэлектронного модуля с азотным уровнем охлаждения. Впервые в1973 г. группа Крутько А.П., (Демьяненко Ю.А., Василенко Л.С.) показала возможность двукратного снижения шумов преобразователя частоты при охлаждении серийных смесительных диодов до 78 К , в том числе с барьером Шоттки (3А311) на арсениде галлия.
  В сотрудничестве с кафедрой прикладной математики (ХИРЭ) разрабатывается модель полосковой схемы смесителя и испытывается ее макет (Крутько А.П., Оболонский В.А.).
  Дальнейшее уменьшение шумов смесителя и УПЧ требовало создания специальных криоэлектронных диодных и транзисторных структур на основе новых материалов, что позволило бы снизить требования к входному усилителю, реализация которого на более высоких частотах становилась трудной задачей.
  Несмотря на успешное завершение НИР по полному составу модуля, при постановке ОКР главный конструктор Н.В. Ярин, как обычно, после обстоятельного рассмотрения всех за и против, остановился на варианте, проще реализуемом в минимальные сроки - разработке модуля только с усилителем СВЧ, без преобразования частоты. Тем самым криоэлектронные смесители на полупроводниковых диодах из тематики НИИ "Сатурн" были исключены, основательный научный задел по их охлаждению в дальнейшем не был востребован. Параметрические усилители со временем тоже уступили место усилителям на полевых транзисторах, которые успешно продвигались в диапазон СВЧ во всем мире, и вскоре их освоение (с приходом в НИИ В.И. Босого) и внедрение в системы СВЧ заняло приоритетное место в разработках НИИ "Сатурн".
  Начало семидесятых годов ознаменовалось не только успехами НИИ в криоэлектронике, но и, наконец, возведением главного корпуса производственных площадей НИИ. Капитальное строительство было в планах НИИ, поэтому строители не спешили, по принципу: это вы строите, а мы вам помогаем! На стройке, как еще и в колхозах , работали все сотрудники поочередно, без отрыва от основных тематических задач. Как только была поставлена первая коробка (3-й блок), а на первом этаже строители еще сушили штукатурку мощными воздуходувками, В.Н. Алфеев собрал всех сотрудников и строителей на митинг с шампанским, посвященный этому торжеству. Следует заметить, что, как директор, он всегда держался демократично: часто бывал в лабораториях, непринужденно общался с сотрудниками. Он сдержал обещание - на ул. Героев Севастополя, 33 был возведен вне плана, среди "хрущевок", первый жилой многоэтажный дом для сотрудников!
  В.Н.Алфеев, гордился созданием института, приглашая на смотрины именитых гостей, академиков. В институте несколько раз бывали руководящие сотрудники МЭП и другие высокие визитеры. Этим событиям была посвящена целая галерея фотоэкспозиций в коридоре не первом этаже 3-го блока. Приоритеты в развитии криоэлектроники, в соответствии с принятыми в СССР традициями, давали ему право претендовать на выдвижение в член-корреспонденты АН УССР, но это событие сыграло в его судьбе роковую роль.
  Партия и правительство затеяли очередную акцию, направленную на повышение эффективности экономики - создали по типу западных фирм промышленные объединения, в том числе в Киеве производственно-техническое объединение "Октава" во главе с директором НИИ "Орион", который становился распорядителем всех ресурсов, выделяемых министерством, в том числе на оборудование НИИ "Сатурн". Директор НИИ "Сатурн" не мог согласиться с тем, что значительная часть фондов, предназначенных для оснащения его НИИ, как строящегося предприятия, передавалась тем структурам ПТО "Октава", которые были в непосредственном подчинении генерального директора ПТО "Октава"...
  В этой борьбе В.Н.Алфеев не забывал о науке. Присуждение в 1963 г. Нобелевской премии за изучение туннельных явлений в физике, в том числе до того неизвестному молодому английскому теоретику Б. Джозефсону, привлекло внимание многих научных и промышленных центров во всем мире к этим эффектам. Возможностью создания новых электронных приборов заинтересовались в МЭПе.
  Директор НИИ ФП в Зеленограде, центре микроэлектроники, организованному по типу "кремниевой долины" в США, в активном сотрудничестве с директором НИИ "Сатурн" выходит с проектом программы развития работ по созданию электронных устройств на основе эффекта Джозефсона. Коллегия МЭП и руководство других заинтересованных ведомств поддерживают идею - готовится проект приказа МЭП. Научно-технический совет НИИ "Сатурн" срочно утверждает под приказ программу из 15 НИР, с которой в ГНТУ МЭП на согласование командируется начальник ФТЛ Б.Н. Формозов.
  К его темпераменту и своеобразной манере поведения в НИИ привыкли и только подшучивали, но некорректность Б.Н. Формозова в ГНТУ вызвала такое возмущение чиновников, что по их требованию директор был вынужден отозвать его из Москвы и срочно командировать для согласования программы работ по эффекту Джозефсона и.о.начальника лаборатории сверхпроводимости (СП) А.П. Крутько. Казалось бы мелкий инцидент, но без визы ГНТУ программа НИИ "Сатурн" оказалась бы за пределами приказа Министра, а работы по сверхпроводимости - без их обеспечения фондами, ресурсами и т.д.
  ...Поражала теснота, в которой трудились сотрудники ГНТУ, не было лишнего стула и места, где бы могли пристроиться посетители, а ведь здесь согласовывались все планы предприятий МЭП, оборонной отрасли страны...
  В конце того же дня в ГНТУ появился В.Н. Алфеев, которому была показана программа НИИ ФП, содержащая всего пять НИР ( от НИИ "Сатурн" предлагалось пятнадцать работ). В.Н.Алфеев тут же сориентировался и на клочке бумаги изложил тоже пять основных работ в подобной редакции и сроках, поручив оформить все А.П. Крутько. Первого взгляда было достаточно, чтобы видеть: надо скорректировать как наименование работ, так и их сроки выполнения. Надежда была на то, что автор не запомнил им написанное, и "семь бед - один ответ!" В таком виде программа и попала в приказ Министра Љ 256 от 12.10.1973 г., согласно которому для работ по программе было выделено 40 штатных единиц! Для технического обеспечения работ ряд главков МЭП должны были выполнить заказы на аппаратуру, материалы и т.п., что позволяло НИИ "Сатурн" оснаститься импортным технологическим оборудование (ГДР), измерительной аппаратурой, в том числе разработанной ЦНИИА МЭП ( Саратов ). Игра уже "стоила свеч"!...
  ...Тем временем вокруг директора НИИ "Сатурна" сгущались партийные тучи. В Президиум АН УССР, где рассматривалась его кандидатура, поступает письмо, в котором обращается внимание на то, что д.т.н. В.Н. Алфеев, вопреки решениям Партии и Правительства, выступил против создания объединений. Действительно, ему удалось добиться автономии НИИ "Сатурн", оставаясь формально в ПТО "Октава" какое-то время. К интриге подключаются не только отдельные личности, в том числе из ПТО "Октава", но и партийные органы. В НИИ "Сатурн" несколько месяцев комиссия партийного контроля, уполномоченная ЦК КПУ, расследует деятельность директора и находит более 50 нарушений, в том числе в период строительства НИИ и жилого дома для сотрудников.
  Вместо требующегося от него покаяния директор НИИ отрицает обвинения в свой адрес, комиссия возмущена и предлагает высшую меру партийного наказания - из партии исключить! Точка зрения секретаря парткома НИИ "Сатурн" - решение комиссии поддержать...
  Директор союзного НИИ оборонной отрасли - номенклатура ЦК Партии, он не может быть беспартийным. Следует рекомендация в МЭП: В.Н. Алфеева от должности директора НИИ "Сатурн" освободить.
  Д.т.н. В.Н. Алфеев, который организовал и построил НИИ, вывел его на передовые рубежи в отрасли, надеется остаться в НИИ в качестве начальника отдела до пересмотра его партийного дела (через год по Уставу). Тем временем генеральный директор НПО "Октава"предлагает в МЭПе назначить директором НИИ "Сатурн" к.т.н. Гассанова Л.Г., который незадолго до этих событий был внедрен в НИИ "Сатурн" из НИИ "Орион" на должность заместителя директора по науке.
  В.Н. Алфеев отзывается в распоряжение МЭП, в Москву, а кабинет директора занимает к.т.н. Л.Г.Гассанов, опытный специалист в области вакуумной электроники СВЧ. В НИИ началась тематическая, структурная и кадровая перестройка во имя планов и социалистических обязательств министерства. Вместо высотного здания по проекту инженерного корпуса закладывается фундамент скромного блока.
  Отдел разработки микрокриогенных систем (МКС) расформировывается, ведущие его специалисты увольняются, лаборатория сверхнизкотемпературных (ниже 15 К) МКС во главе с к.т.н. Худзинским В.М. переориентируется на технологию получения диэлектрических слоев на полупроводниках и освоение соответствующего оборудования, хотя некоторое время еще работает над внедрением криогенной техники в медицинскую аппаратуру.
  Лаборатория к.ф.-м.н. Формозова Б.Н. ликвидируется, технологические криостаты, которые она разрабатывала (группа Ю.Н. Муськина) в обеспечение криоэлектронных систем уже не нужны: начальник освобождается от занимаемой должности, сотрудники распределяются по другим подразделениям...
  Но приказы Министра надо выполнять! Какой директор отважится возражать МЭП, тем более, что предоставлены дополнительные госбюджетные финансы, фонды, штаты и т.д.?
  Лаборатория СП из отдела новых разработок переводится в отдел полупроводниковых приборов, а ее начальник назначается ответственным за всю программу в связи с уходом ее научного руководителя В.Н.Алфеева. Попытка развернуть собственную технологическую базу для формирования сверхпроводниковых структур, начатая при В.Н.Алфееве, тут же пресекается, оборудование изымается и передается тем, кто к сверхпроводимости не имеет отношения.
  В институте интенсивно насаждается тематика, далекая от разработки криоэлектронных систем СВЧ, за исключением некоторых престижных заказов, например, для оснащения радиотелескопа РАТАН-600 в станице Зеленчукской, где еще долго сохраняет свои позиции, заложенные еще по ОКР "Экспонат", лаборатория В.И. Лебедя.
  Успехи в микроэлектронике, тем более сверхпроводниковой, на что была ориентирована программа по сверхпроводимости, основаны на радиофизике и технологии микроструктур. После реорганизации НИИ интерес руководителей подразделений, особенно технологических, к участию в программе ослабел, докладные руководителя программы дирекцией не воспринимались. Внутри отдела с приходом на эту должность С.А.Груши, еще как-то удается найти взаимопонимание с технологическими подразделениями В.И.Попова и Ф.И. Коржинского, но и то в плане личных контактов. Планы подразделений загружены тематикой, находящейся под личным контролем директора. Трудно было пробиться с заданиями на чертежи измерительных устройств в конструкторский отдел. Титанический труд конструкторов находил воплощения в шкафах систем уже без охлаждения, например, типа "Электроника-Связь", многократные модернизации которой так и не нашли применения в серийном выпуске.
  Еще сложнее было добиться включения в планы технологических работ освоения процессов, необходимых для формирования сверхпроводниковых структур. Только после того, как Комашко В.А. успешно защитил диссертацию, его группа более интенсивно занялась получением сверхпроводниковых соединений с более высокой критической температурой, чем ниобий. Группа фотолитографии лаборатории фотошаблонов, где начальником был Ф.И. Коржинский (Н.Ш. Гаевская, Л.Д Середа и др.) с интересом отнеслась к этим работам, привлекая свой опыт и изобретательность для получения пленочных элементов с размерами менее 1 микрона еще в то время, когда электронно-лучевая литография не была освоена.
  Благодаря труду таких специалистов удалось создать экспериментальные образцы сверхпроводниковых устройств и достаточно успешно выполнить НИР.
  В первой работе по программе (НИР "Экватор") была показана возможность детектирования сигналов СВЧ сверхпроводниковыми пленочными элементами с недоступной для полупроводниковых диодов чувствительностью.
  Исследование усилительных свойств выполнялось по НИР "Экскурсия", где с помощью сотрудников групп В.И. Попова и В.И. Босого впервые были получены мостики переменной толщины из индия, проявляющие эффект Джозефсона , до этого наблюдаемый только в сверхпроводниковых точечных контактах, не имевших перспективы промышленного внедрения. Расчеты и измерения, выполненные сотрудниками лаборатории СП В.Н. Радзиховским и В.П. Гущиным, подтвердили возможность регенеративного эффекта усиления с использованием подобных структур.
  Некоторые работы по ряду субъективных и объективных причин были менее успешными, но позволяли набираться опыта и понимания свойств переходов на основе эффекта Джозефсона.
  Направление работ было настолько новым, что только ленивый не предлагал решений на уровне изобретений. Исследование добротности полосковых резонаторов, выполненные в лаборатории СП В.А. Оболонским и Б.М. Шевчуком, показали возможность получения добротности полосковых резонаторов из станнида ниобия более 30 тысяч при температуре около 15К. На основе таких резонаторов Б.В. Ивановым с участием Ю.А. Демьяненко был сконструирован полосковый фильтр оригинальной конструкции, защищенный авторским свидетельством (НИР "Электрон").
  Венцом программы была разработка (С.А.Груша, А.П.Крутько) по НИР "Эзоп" конструкции 9-канального радиометра восьмимиллиметрового диапазона на сверхпроводниковых детекторах в интересах ИКИ АН СССР.
  Сложность освоения процессов, происходящих в сверхпроводниковых микроструктурах под действием колебаний СВЧ, требовала, особенно на первых этапах работ, тесного научного сотрудничества с ведущими учеными в этой области: И.М. Дмитренко (ФТИНТ), С.А Песковацким (РИАН), К.К. Лихаревым (МГУ), А.Н. Выставкиным (ИРЭ). Приобретался необходимый опыт, совершенствовались эксперименты, но главная задача НИИ "Сатурн" была уже не в развитии криоэлектроники, а в наращивании выпуска изделий, пользующихся более широким спросом на рынке радиоэлектронной техники СВЧ, без применения криогеники.
  Программа была завершена в 1977г. и лаборатория сверхпроводимости решением дирекции была переориентирована на другую тематику. Коллектив распался, начальник ее Крутько А.П. освобожден от руководства по его просьбе и перешел с В.А. Оболонским в лабораторию Коржинского Ф.И., где они в сотрудничестве с группой В.А. Комашко выполнили НИР 2-85-79, в которой была создана лабораторная технология стабильных переходов Джозефсона на основе тугоплавких материалов.
  Физико-техническая лаборатория была расформирована еще раньше, а к.ф.-м.н. Формозов Б.Н. вернулся в Ленинград, где освоил новую тематику, стал доктором наук и депутатом парламента в суверенной России!
  Несмотря на успешное завершение НИР 2-85-79, открывающей реальные пути в сверхпроводниковую технологию, мудрый (без иронии) начальник НТО В.Н. Коломиец посоветовал ее руководителю не поднимать перед руководством вопрос о продолжении работ... Проект продолжения программы на 1978-1980 г.г., еще в 1977 г. был предложен А.П. Крутько в докладной записке, предусматривающей оптимальные применения полупроводниковых и сверхпроводниковых структур ММВ...
  Лаборатория Ф.И. Коржинского сосредоточилась на освоении электронно-лучевой литографии в обеспечение производства полевых транзисторов. Группе Комашко В.А. было предложено включиться в работы лаборатории по созданию лавинно-пролетных диодов для генераторов накачки по ОКР "Эскадра", но Комашко В.А., наверное, не увидел в этом перспективы (так оно и оказалось позже) и перешел с основными сотрудниками группы (В.Л. Носков, Р.Л. Зеленкевич) в Институт кибернетики, где продолжал развивать приобретенный опыт по технологии сверхпроводниковых пленочных структур из нитрида ниобия.
  К.т.н. Денисов А.Г., который свое знакомство со сверхпроводимостью начал в лаборатории Б.Н. Формозова, а затем находился в лаборатории СП, нашел приют с несколькими сотрудниками в лаборатории Ю.Н. Муськина, где интенсивно велись разработки конструкций медицинской криогенной техники под наименованием "Криоэлектроника".
  Сверхпроводниковая электроника, как жар-птица, ждала своих энтузиастов, и этот час пришел с открытием в 1986г. нового класса высокотемпературных сверхпроводников, не требующих охлаждения ниже 80 К - ВТСП, и присуждением очередной Нобелевской премии по сверхпроводимости!
  
  
  ..."Жили. Были. Ели. Пили.
  Воду в ступе толокли,
  Вкруг да около ходили, -
  Мимо главного прошли"...
  
  Дон-Аминадо
  
  
  Киев, 2003 год.
 Ваша оценка:
Связаться с программистом сайта.

Новые книги авторов СИ, вышедшие из печати:
О.Болдырева "Крадуш. Чужие души" М.Николаев "Вторжение на Землю"

Как попасть в этoт список
Сайт - "Художники" .. || .. Доска об'явлений "Книги"